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A3PE600-2FGG484I嵌入式FPGA(现场可编程门阵列)-型号参数

时间: 2024-04-07

A3PE600-2FGG484I.png

技术参数

品牌:Microsemi/美高森美
型号:A3PE600-2FGG484I
封装:FPBGA-484
批号:22+
数量:6000
制造商:Microchip
产品种类:FPGA - 现场可编程门阵列
RoHS:
输入/输出端数量:270 I/O
工作电源电压:1.5 V
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:FBGA
高度:1.73 mm
长度:23 mm
系列:A3PE600
宽度:23 mm
栅极数量:600000
最大工作频率:310 MHz
湿度敏感性:Yes
电源电压-最大:1.575 V
电源电压-最小:1.425 V
单位重量:400 mg

高容量

•60万至300万系统闸门

•108至504 kbits的真双端口SRAM

•多达620个用户I/O

可重新编程闪存技术

•130 nm,7层金属(6铜),基于闪存的CMOS

过程

•即时0级支持

•单片解决方案

•断电时保留编程设计

片上用户非易失性存储器

•1 kbit FlashROM,带同步接口

高性能

•350 MHz系统性能

•3.3 V,66 MHz 64位PCI

系统内编程(ISP)与安全

•ISP使用片上128位高级加密标准

(AES)通过JTAG解密(符合IEEE 1532)

•FlashLock®设计用于保护FPGA内容

低功率

•低功率核心电压

•支持仅1.5伏系统

•低阻抗闪光开关

高性能路由层次结构

•分段、分层路由和时钟结构

•超高速本地和长途网络

•增强型高速超长线路网络

•高性能、低倾斜全球网络

•体系结构支持超高利用率

专业(专业)I/O

•700 Mbps DDR,支持LVDS的I/O

•1.5 V、1.8 V、2.5 V和3.3 V混合电压操作

•每个芯片最多可选择8个组的组I/O电压

•单端I/O标准:LVTTL、LVCMOS 3.3 V/

2.5伏/1.8伏/1.5伏、3.3伏PCI/3.3伏PCI-X和LVCMOS

2.5 V/5.0 V输入

•差分I/O标准:LVPECL、LVDS、B-LVDS和

M-LVDS公司

•电压参考I/O标准:GTL+2.5 V/3.3 V,GTL

2.5 V/3.3 V,HSTL I级和II级,SSTL2 I级和Ⅱ级,SSTR3

一级和二级

•输入、输出和启用路径上的I/O寄存器

•热插拔和冷插拔I/O

•可编程输出回转速率和驱动强度

•可编程输入延迟

•单端输入上的施密特触发器选项

•上拉/下拉较弱

•IEEE 1149.1(JTAG)边界扫描测试

•ProASIC®3E系列的引脚兼容封装时钟调节电路(CCC)和PLL

•六个CCC块,每个块带有一个集成PLL

•可配置相移、乘法/除法、延迟功能和外部反馈

•宽输入频率范围(1.5 MHz至350 MHz)SRAM和FIFOs

•可变纵横比4608位RAM块(×1,×2,×4,×9,和×18个可用组织)

•真正的双端口SRAM(×18除外)

•具有同步操作的24个SRAM和FIFO配置高达350 MHzProASIC3E FPGA中的ARM®处理器支持

•M1 ProASIC3E设备—提供Cortex-M1软处理器带或不带调试