品牌：	Cypress(赛普拉斯)
型号：	CY7C1418KV18-250BZXC
封装：	FBGA-165
批号：	21+
数量：	6000
制造商：	Cypress Semiconductor
产品种类：	静态随机存取存储器
RoHS：	是
存储容量：	36 Mbit
最大时钟频率：	250 MHz
接口类型：	Parallel
电源电压-最大：	1.9 V
电源电压-最小：	1.7 V
电源电流—最大值：	430 mA
最小工作温度：	0 C
最大工作温度：	+ 70 C
安装风格：	SMD/SMT
封装 / 箱体：	FBGA-165
存储类型：	SDR
系列：	CY7C1418KV18
湿度敏感性：	Yes

CY7C1418KV18和CY7C1420KV18是配备DDR II架构的1.8V同步流水线SRAM。DDR II由一个带有高级同步外围电路的SRAM内核和一个1位突发计数器组成。用于读取和写入的地址被锁存在输入（K）时钟的交替上升沿上。写入数据被记录在K和K的上升沿上。读取数据被驱动在C和C的上升沿（如果提供）上，或者在K和K的上升沿，如果没有提供C/C。在CY7C1418KV18和CY7C142KV18上，突发计数器取外部地址的最低有效位，并在CY7C1148KV18的情况下突发两个18位字，在CY7C442KV18的情形下突发两两个36位字，顺序地进入或离开设备。异步输入包括输出阻抗匹配输入（ZQ）。同步数据输出（Q，与数据输入D共享相同的物理引脚）与两个输出回波时钟CQ/CQ紧密匹配，消除了在系统设计中从每个单独的DDR SRAM单独捕获数据的需要。输出数据时钟（C/C）可实现最大的系统时钟和数据同步灵活性。所有同步输入通过由K或K个输入时钟控制的输入寄存器。所有数据输出都通过由C或C（或单个时钟域中的K或K）输入时钟控制的输出寄存器。使用片上同步自定时写入电路进行写入。有关相关文档的完整列表，请单击此处。