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CY7C1418KV18-250BZXC静态随机存取存储器-型号参数

时间: 2024-03-15

CY7C1418KV18-250BZXC.png

技术参数

品牌:Cypress(赛普拉斯)
型号:CY7C1418KV18-250BZXC
封装:FBGA-165
批号:21+
数量:6000
制造商:Cypress Semiconductor
产品种类:静态随机存取存储器
RoHS:
存储容量:36 Mbit
最大时钟频率:250 MHz
接口类型:Parallel
电源电压-最大:1.9 V
电源电压-最小:1.7 V
电源电流—最大值:430 mA
最小工作温度:0 C
最大工作温度:+ 70 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:FBGA-165
存储类型:SDR
系列:CY7C1418KV18
湿度敏感性:Yes
CY7C1418KV18和CY7C1420KV18是配备DDR II架构的1.8V同步流水线SRAM。DDR II由一个带有高级同步外围电路的SRAM内核和一个1位突发计数器组成。用于读取和写入的地址被锁存在输入(K)时钟的交替上升沿上。写入数据被记录在K和K的上升沿上。读取数据被驱动在C和C的上升沿(如果提供)上,或者在K和K的上升沿,如果没有提供C/C。在CY7C1418KV18和CY7C142KV18上,突发计数器取外部地址的最低有效位,并在CY7C1148KV18的情况下突发两个18位字,在CY7C442KV18的情形下突发两两个36位字,顺序地进入或离开设备。异步输入包括输出阻抗匹配输入(ZQ)。同步数据输出(Q,与数据输入D共享相同的物理引脚)与两个输出回波时钟CQ/CQ紧密匹配,消除了在系统设计中从每个单独的DDR SRAM单独捕获数据的需要。输出数据时钟(C/C)可实现最大的系统时钟和数据同步灵活性。所有同步输入通过由K或K个输入时钟控制的输入寄存器。所有数据输出都通过由C或C(或单个时钟域中的K或K)输入时钟控制的输出寄存器。使用片上同步自定时写入电路进行写入。有关相关文档的完整列表,请单击此处。