欢迎光临太航半导体网站
  • 邮箱: info@thicg.com
  •      电话:400-900-8098
400-900-8098

APT60DQ60BG高性能、低损耗的IGBT器件中文资料

时间: 2024-02-22

图片.png

APT60DQ60BG是一款高性能、低损耗的IGBT(绝缘栅双极型晶体管),由Microsemi公司(现在是Microchip Technology公司)生产。它是一种可靠的功率开关器件,适用于高电压和高电流的应用,例如电机控制、太阳能逆变器和UPS(不间断电源)等。

APT60DQ60BG的主要特点是高性能、低导通和开关损耗、低噪声和低电磁干扰(EMI)特性。该器件采用了最新的第四代IGBT技术,具有低导通和开关损耗,提供更高的效率和更低的发热。同时,该器件还具有低噪声和低EMI特性,可减少对其他电子设备的干扰。

APT60DQ60BG具有60A的电流承载能力和600V的电压承载能力,具有多种保护功能,例如短路保护、过温保护和过电流保护等,可以提高系统的可靠性和稳定性。

APT60DQ60BG还具有多种应用优势,例如它具有高速开关和较低的反向恢复时间,可实现快速开关和低失真的功率转换。此外,该器件还具有低漏电流和高可靠性特性,可确保长时间稳定运行。

总之,APT60DQ60BG是一款高性能、低损耗的IGBT器件,具有高效、低EMI、多重保护和多种应用优势,适用于各种高电压和高电流应用场景。如果您正在寻找一款高性能的IGBT器件,APT60DQ60BG是一个值得考虑的选择。