欢迎光临太航半导体网站
  • 邮箱: info@thicg.com
  •      电话:400-900-8098
400-900-8098

IXDN609SIA栅极驱动器-技术参数

时间: 2024-01-24

IXDN609SIA.png

技术参数

品牌:IXYS
型号:IXDN609SIA
封装:*
数量:10000
类别:集成电路(IC) PMIC - 栅极驱动器
制造商:IXYS Integrated Circuits Division
驱动配置:低端
通道类型:单路
驱动器数:1
栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
电压 - 供电:4.5V ~ 35V
逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,3V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出):9A,9A
输入类型:非反相
上升/下降时间(典型值):22ns,15ns
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

描述:

IXDD609/XD1609/IXDN609高速门驱动器特别适用于驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。IXD 609高电流输出可以产生9A的峰值电流,同时产生小于25ns的电压上升和下降时间。输入是CMOS兼容的,并且几乎不受拉升的影响。专有电路消除了交叉传导和电流“击穿”。低传播延迟和快速匹配的上升和下降时间使IXD 809系列成为高频和高功率应用的理想选择。XDD809被配置为带使能的非反相驱动器,IXDN809被配置为非反相驱动器和[XD1809被配置为反相驱动器。IXD 609系列有标准的8针DIP(Pl);8引脚solC(SIA);具有暴露的金属背的8引脚功率solC(Sl):8引脚DFN(D2);a5引脚TO-263(Yl);以及5引脚TO-220(CI)。