IR2233STRPBF高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器-型号参数
技术参数
| 品牌： | 英飞凌 |
| 型号： | IR2233STRPBF |
| 封装： | QFN |
| 批号： | 21+ |
| 数量： | 3000 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | 门驱动器 |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOIC-28 |
| 激励器数量： | 6 Driver |
| 输出端数量： | 6 Output |
| 输出电流： | 200 mA |
| 电源电压-最小： | 10 V |
| 电源电压-最大： | 20 V |
| 配置： | Non-Inverting |
| 上升时间： | 90 ns |
| 下降时间： | 40 ns |
| 最大工作温度： | + 125 C |
| 系列： | IR223X |
| 特点： | Independent |
| 高度： | 2.35 mm |
| 长度： | 18.1 mm |
| 宽度： | 7.6 mm |
| 逻辑类型： | CMOS, LSTTL |
| 传播延迟—最大值： | 1000 ns |
| 关闭： | Shutdown |
| 最大关闭延迟时间： | 700 ns |
| 最大开启延迟时间： | 750 ns |
| 湿度敏感性： | Yes |
| 工作电源电流： | 4 mA |
| Pd-功率耗散： | 1.6 W |
| 单位重量： | 2.215 g |
特点：
- 为引导操作设计的浮动通道完全工作至+600V或+1200V耐受负瞬态电压dV/dt免疫
- 栅极驱动电源范围从10V/12V到20V DC，以及瞬态电压高达25V
- 所有通道的欠压锁定
- 过电流关闭关闭所有六个驱动器
- 独立的3个半桥驱动器
- 所有信道的匹配传播延迟
- 2.5V逻辑兼容
- 输出与输入异相
- 所有零件也可提供无铅
描述：
IR2133IR2135/IR2233IR2355(J&S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高侧和三相应用的低侧参考输出通道。专有HVIC技术可实现加固的单片结构。逻辑输入与CMOS或LSTL输出兼容，低至2.5V逻辑。独立运算放大器提供模拟经由外部电流感测电阻器的桥接电流的反馈。A.终止所有六个输出的电流跳闸函数也可以从该电阻器导出。关闭功能可用于终止所有六个输出。漏极开路故障信号提供给指示发生过电流或欠电压停机。故障条件通过FLT-CLR导线清除。这个输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小驱动器交叉传导。传播延迟为匹配以简化在高频应用中的使用。浮动沟道可用于驱动N沟道功率MOSFET或高侧配置中的IGBT，其工作电压高达600伏或1200伏。
