SQJ409EP-T1_GE3分立半导体产品晶体管-行业资讯
技术参数
| 品牌： | VISHAY |
| 型号： | SQJ409EP-T1_GE3 |
| 封装： | PAKSO-8L |
| 批号： | 21+ |
| 数量： | 21000 |
| 制造商： | Vishay |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | PowerPAK-SO-8-4 |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 40 V |
| Id-连续漏极电流： | 60 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 7 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2 V |
| Qg-栅极电荷： | 170 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 68 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 商标名： | TrenchFET |
| 配置： | Single |
| 系列： | SQ |
| 商标： | Vishay Semiconductors |
| 下降时间： | 12 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 18 ns |
| 工厂包装数量： | 3000 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 75 ns |
| 典型接通延迟时间： | 23 ns |
| 单位重量： | 506.600 mg |
a.包装有限。
b.脉冲测试；脉冲宽度<300 us，占空比s 2%。
c.当安装在i”方形PCB（FR4材料）上时。
d.对于PowerPAk S0-8L，由于制造过程中的烧结工艺，引线端子的末端是未电镀的暴露铜。无法保证在暴露的铜尖端有一个焊料飞边，也不需要确保底部有足够的焊料互连。e.返工条件：不建议使用烙铁手动焊接无引线部件。
