IPW60R165CP沟道功率MOSFET晶体管-型号参数
技术参数
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | IPW60R165CP |
| 封装： | TO-247 |
| 批号： | 21+ |
| 数量： | 44820 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-247-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 600 V |
| Id-连续漏极电流： | 21 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 165 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 192 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 21.1 mm |
| 长度： | 16.13 mm |
| 系列： | CoolMOS CE |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 5.21 mm |
| 下降时间： | 5 ns |
| 上升时间： | 5 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 50 ns |
| 典型接通延迟时间： | 12 ns |
| 零件号别名： | IPW60R165CPFKSA1 SP000095483 IPW6R165CPXK IPW60R165CPFKSA1 |
| 单位重量： | 38 g |
额定电压(Vds)：600V
额定电流(Id)：60A
静态导通电阻(Rds(on))：0.165Ω
最大功率耗散(Pd)：350W
门源电压(Vgs(th))：2-4V
IPW60R165CP主要应用于高功率开关应用，如电源逆变器、电机驱动器、电动车充电器等。其低导通电阻和高耐压能力使其适合在高电压和高电流环境下工作。此外，该晶体管还具有快速开关速度和低开关损耗，可提高系统效率和可靠性。
需要注意的是，在使用IPW60R165CP时，应根据数据手册提供的电路设计指南和工作条件来选择合适的驱动电路和散热方案，以确保晶体管正常工作并避免过热损坏。
