SIHG47N60E-GE3分立半导体产品晶体管-型号参数
技术参数
| 品牌： | VISHAY/威世 |
| 型号： | SIHG47N60E-GE3 |
| 封装： | TO247 |
| 批号： | 21+ |
| 数量： | 10800 |
| 制造商： | Vishay |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-247-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 600 V |
| Id-连续漏极电流： | 47 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 64 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 4 V |
| Qg-栅极电荷： | 148 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 357 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 系列： | E |
| 下降时间： | 82 ns |
| 上升时间： | 72 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 93 ns |
| 典型接通延迟时间： | 28 ns |
| 单位重量： | 6 g |
描述： SIHG47N60E-GE3是一款N沟道增强型功率MOSFET。它采用了封装为D²PAK（TO-263）的形式，适用于表面安装技术。该器件具有非常低的导通电阻和开关损耗，适用于高功率应用。
特点：
- 高功率处理能力：SIHG47N60E-GE3具有较高的功率处理能力，适用于需要处理大功率的应用，如电源、电机驱动、逆变器等。
- 低导通电阻：该器件具有低导通电阻，可以降低功耗和热损耗，提高效率。
- 快速开关特性：SIHG47N60E-GE3具有快速的开关特性，可以实现高速开关操作，适用于需要高频率开关的应用。
- 高温工作能力：该器件具有较高的温度工作能力，适用于高温环境下的应用。
- 可靠性：SIHG47N60E-GE3具有良好的可靠性和稳定性，可以在各种工作条件下长时间稳定运行。
功能：
- 低优值(FOM)Ron x Qg
- 低输入电容(Ciss)
- 降低了开关和传导损耗
- 超低栅极电荷(Qg)
- 雪崩额定能量(UIS)
应用程序：
- 开关电源(SMPS)
- 功率因数校正电源(PFC)
- 照明
- 高强度放电(HID)
- 荧光镇流器照明
- 工业
- 焊接
- 感应加热
- 电机驱动器
- 电池充电器
- 可再生能源
- 太阳能(光伏逆变器)
