FM24CL04B-G非易失性存储器-技术参数
技术参数
品牌: | INFINEON/英飞凌 |
型号: | FM24CL04B-G |
封装: | 8-SOIC |
批号: | 22+ |
数量: | 8000 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | F-RAM |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOIC-8 |
存储容量: | 4 kbit |
接口类型: | I2C |
电源电压-最小: | 2.7 V |
电源电压-最大: | 3.65 V |
最小工作温度: | - 40 C |
最大工作温度: | + 85 C |
系列: | FM24CL04B-G |
湿度敏感性: | Yes |
工作电源电压: | 3.3 V |
功能说明:
FM24CL04B是采用先进铁电工艺的4K位非易失性存储器。铁电随机存取存储器或F-RAM是非易失性的,并且与RAM类似地执行读取和写入。它提供了151年的可靠数据保留,同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与EEPROM不同,FM24CLO4B以总线速度执行命令写入操作。没有发生写入延迟。每个字节成功传输到设备后,数据会立即写入内存阵列。下一个总线周期可以在不需要数据轮询的情况下开始。此外,与其他非易失性存储器相比,该产品提供了实质性的写入耐久性。此外,F-RAM在写入期间表现出比EEPROM低得多的功率,因为写入操作不需要用于写入电路的整数提升的电源电压。FM24CL04B能够支持1014个读/写周期,即比EEPROM多1亿倍的写周期。这些功能使FM24CL04B非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。例如,从数据记录(写入周期的数量可能很关键)到要求苛刻的工业控制(EEPROM的长写入时间可能会导致数据丢失)。这些功能的结合允许更频繁的数据写入,而系统的开销更少。FM24CL04B为串行1C)EEPROM的用户提供了实质性的好处,作为硬件的替代品。设备规格在-40℃至+85℃的工业温度范围内得到保证。